โครงสร้างและสัญลักษณ์ของเพาเวอร์ไดโอด
ไดโอดประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำ 2 ชนิด
คือ
1.สารกึ่งตัวนำชนิดพี (P-Type)
2.สารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น(N
-Type)
ไดโอดมีขั้วอยู่ 2 ชนิด
คือ แอโนด (Anode :A)
และแคโทด ขั้วแอโนดนั้นต่อกับสารกึ่งตัวนำชนิดพีและขั้วแคโทดจะต่อกับสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็น
รูปร่างของเพาเวอร์ไดโอด
เพื่อเป็นการป้องกันการชำรุดเสียหายของไดโอด จึงมีการห่อหุ้มด้วยวัตถุที่ทำจากแก้วพลาสติก
หรือโลหะ
ชนิดและคุณลักษณะของเพาเวอร์ไดโอด
เพาเวอร์ไดโอดสามารถแบ่งออกได้เป็น
3 ชนิดด้วยกันตามคุณสมบัติในการกลับคืนตัวและเทคนิคการผลิต ได้แก่
1.
ไดโอดมาตรฐาน
2.
ไดโอดที่มีช่วงกลับคืนตัวเร็ว
3.
ชอตต์กี่ไอโอด
ไอโอดมาตรฐาน
เป็นไดโอดที่ใช้กับงานทั่วๆไปมีค่า
REVERSE
RECOVERY TIME สูงประมาณ 25
US
ปกติจะใช้กับงานความเร็วต่ำซึ่งเวลาในการกลับตัวไม่ใช่สิ่งที่ต้องคำนึงถึง
ไดโอดชนิดนี้สามารถใช้กับกระแสไฟฟ้าได้ตั้งแต่น้อยกว่า 1 แอมแปร์
จนถึงหลายพันแอมแปร์และใช้กับแรงดันไฟฟ้าได้ตั้งแต่ 50 โวลต์จนถึง
5 กิโลโวลต์
ไดโอดที่มีช่วงเวลากับคืนตัวเร็ว
ไอโอดชนิดนี้จะมีค่าเวลาในการกลับคืนตัวต่ำ
ปกติจะน้อยกว่า 5
us จึงถูกนำไปใช้ในวงจรชอปเปอร์และอินเวอร์เตอร์สามารถใช้กับกระแสไฟฟ้าตั้งแต่
น้อยกว่า 1 แอมแปร์จนถึง 100 แอมแปร์ และใช้กับแรงดันไฟฟ้าได้ตั้งแต่
50 โวลต์ จนถึง 3 กิโลโวลต์
ชอตต์กีไดโอด
โครงสร้างของชอตต์กีไดโอด
สามารถกำจัดประจุที่สะสมอยู่บริเวณลอยต่อ PN ให้หมดไปหรือเหลือน้อยลง ทำให้ค่าเวลาในการกลับคืนตัวต่ำลงแต่กระแสย้อนกลับจะสูงขึ้นไอโอดชนิดนี้ใช้กับกระแสไฟฟ้าตั้งแต่
1 – 30 แอมแปร์ และใช้กลับ แรงดันไฟฟ้าได้ไม่เกิน 100
โวลต์
หลักการทำงานของเพาเวอร์ไอโอด
รอยต่อ พี – เอ็น
ที่บริเวณรอยต่อของสารพีและเอ็นจะเกิดการเคลื่อนที่ของอิเล็กตอนและโฮลผ่านรอยต่อเข้าหากัน
( โดยธรรมชาติอิเล็กตอนจะเคลื่อนที่เข้าหาโฮล) เกิดเป็นช่วงรอยต่อที่เรียกว่า “ ดีพลิชั่น
รีเจียน “ ( Depletion Region )
การไหลของกระแสเมื่อให้ไบแอสแบบฟอร์เวิร์ด
เมื่อต่อขั้วบวกเข้ากับแบตเตอรี่เข้าด้าน
p และต่อขั้วลบเข้าด้าน n จะทำให้ดีพลิชั่น
รีเจียน มีขนาดเล็กลงเป็นเหตุให้อิเล็กตอน
สามารถเคลื่อนที่ข้ามบริเวณรอยต่อนี้ได้
การไหลของกระแสเมื่อให้ไบแอสแบบรีเวิร์ส
ถ้าหากต่อขั้วแบตเตอรี่กับขั้วโดยต่อขั้วบวกเข้าด้าน
n และต่อขั้วลบเข้าด้าน p จะทำให้ดีพลิชั่น รีเจียน
มีขนาดมากขึ้นเป็นเหตุให้อิเล็กตอนไม่สามารถเคลื่อนที่ข้ามบริเวณรอยต่อนี้ได้จึงไม่มีกระแสไฟฟ้าไหลผ่าน
กราฟลักษณะคุณสมบัติของเพาเวอร์ไดโอด
เมื่อไดโอดถูกไบแอสแบบฟอร์เวิร์ด
ไอโอดจะเริ่มนำกระแสเมื่อแรงดันระหว่างขั้วแอโนดและแคโทดสูงกว่าแรงกว่าแรงดัน V ( to) หรือ เทรสโฮลด์ โวลเตจ ซึ่งจะค่าประมาณ 0.6 – 1.2 โวลต์ กรณีเป็น ซิลิคอนไอโอด แต่เมื่อไดโอดถูกไบแอส แบบรีเวิร์ดจะมีกระแสรั่วไหล
( (Ir กระแสนี้จะมีค่าในย่านไมโครแอมแปร์ เมื่อแรงดันรีเวิร์ด
(Vr มีค่าสูงเกินกว่าที่รอยต่อ พีเอ็น จะรับได้จะเกิดการเบรกดาวน์
ซึ่งทำให้กระแสไหลจากแคโทดไปยังแอโนดเป็นจำนวนมาก
ค่าพิกัดของเพาเวอร์ไดโอด
แมกซิมั่ม เพอร์มิสสิเบิล
รีพิทิทิฟ พีค รีเวิร์ส โวลเตจ คือค่าแรงดัน ที่รีเวิร์สชั่วขณะสูงสุด
ของรูปคลื่นที่เกิดขึ้นซ้ำ ๆ กัน ที่ผู้ผลิตรับรองว่าไดโอดยังคงสามารถกลั้นกระแสได้ในการออกแบบจะใช่ค่า
Safety
factor ระหว่าง 1.5 – 2.5 แมกซิมั่ม
เพอร์มิสสิเบิล รีพิทิทิฟ พีค รีเวิร์ส
โวลเตจ คือค่าสูงสุดของแรงดันไบแอสแบบรีเวิร์สรูปคลื่นทรานเชียลเดียวที่ไดโอดกำลังยังสามารถได้ดดยไม่เสียหาย ดังรูป
แมกซิมั่ม อาร์เอ็มเอส ฟอร์เวิร์ด เคอร์เรนต์ (Maximum RMS forward current)คือ ค่ากระแส อาร์อ็มเอส
สูงสุดของกระแสฟอร์เวิร์ด ที่ยอมให้ใช้ได้โดยไดโอดไม่เสียหาย
แมกซิมั่ม
เอฟเวอเรจ ฟอร์เวิร์ด เคอร์เรนต์ (Maximum average forward current) คือ กระแสค่าเฉลี่ยสูงสุดของกระแส
ฟอร์เวิร์ด ที่ยอมให้ใช้ได้ ณ CASE TEMPERATURA ที่กำหนดโดยไดโอดไม่เสียหาย
แมกซิมั่ม
เรต เสิร์จ ฟอร์เวิร์ด (Maximum rate surge forward) คือ ค่ากระแส
เสิร์จสูงสุดของกระแสฟอร์เวิร์ดลูกคลื่นไซน์ครึ่งไซเกิล 1 ลูก ที่ยอมให้ใช้ได้ ณ อุณหภูมิรอยต่อ
(TI) ที่กำหนดโดยไดโอดไม่เสียหาย
แมกซิมั่ม เพอร์มิสสิเบิล
รีพิทิทิฟ พีค ฟอร์เวิร์ด เคอร์เรนต์ (Maximum permissible repetitive peak forward current) คือ ค่ากระแสสูงสุดของกระแสฟอร์เวิร์ด
รูปคลื่นไซน์ครึ่งไซเกิล ที่เกิดซ้ำๆ กันโดยไดโอดไม่เสียหาย
รีเวิร์ส รีคัฟเวอร์ ไทม์ (Reverse recovery time) การนำไดโอดไปใช้เป็นสวิตช์นั้นความเร็วจะถูกจำกัดด้วย Trr นี้
การต่อเพาเวอร์ไดโอดแบบอนุกรมและแบบขนาน
การต่อเพาเวอร์ไดโอดแบบอนุกรม
การใช้งานที่มีแรงดันไฟฟ้าสูงๆ
เพาเวอร์ไดโอดเพียงตัวเดียวไม่สามารถนำมาใช้ได้เนื่องจากแรงดันพิกัด Vrrm ไม่สูงพอ
เพื่อให้ๆไดโอดสามารถแทนแรงดันไฟฟ้า รีเวิร์ส ได้สูงขึ้น
จึงต้องนำไดโอดมาต่ออนุกรมกัน แต่การต่ออนุกรมกันนั้นจะต้องพิจารณาถึงวิธีการแบ่งแรงดันให้ตกคร่อมไดโอดได้เท่ากัน
ส่วนสาเหตุที่แรงดันตกคร่องไดโอดในขณะไบแอสแบบรีเวิร์ส
ไม่เท่ากันเนื่องจากค่าความเก็บประจุที่อยู่ในตัวไดโอดมีค่าไม่เท่ากัน
การต่อเพาเวอร์ไดโอดแบบขนาน
การนำไดโอดตั้งแต่
2 ตัวขึ้นไป ที่มีขนาดเท่ากัน มาต่อขนานกันขีดความสามารถในการใช้กับกระแสไฟฟ้าจะสูงขึ้น
แต่จะต้องพิจารณาถึงการแบ่งกระแสในแต่ละตัวไม่ให้เกินขีดความสามารถที่มันจะทนได้
วิธีการตรวจสอบเพาเวอร์ไดโอด
ไดโอดสามารถทำการตรวจสอบดูสภาพการใช้งานได้ด้วยการใช้โอห์มมิเตอร์
การวักค่าความต้านทานของเพาเวอร์ไดโอด จะทำการวัด 2 ครั้ง คือ
วัดค่าความต้านทานด้านฟอร์เวิร์ด
เพาเวอร์ไดโอดยังอยู่ในสภาพการใช้งานดี
ค่าความต้านทานจะมีค่าระหว่าง 1- 200 โอห์ม (ความต้านทานต่ำ )
วัดค่าความต้านทานด้านรีเวิร์ด
เพาเวอร์ไดโอดยังอยู่ในสภาพการใช้งานดี
ค่าความต้านทานจะมีค่าระหว่าง 0.5 -300 เมกะโอห์ม (ความต้านทานสูง )
หมายเหตุ
การวัดเพาเวอร์ไดโอดด้วยโอห์มมิเตอร์
1.
ตั้งโอห์มมิเตอร์ย่าน R x 10 หรือ R x 10K โดยทำการวัด 2 ครั้ง
ครั้งที่ 1 และครั้งที่ 2 จะสลับสายวัด
เช่น วัดครั้งที่
1 ความต้านทานต่ำ
วัดครั้งที่ 2 ความต้านทานสูง อ่านได้ว่า “ ดี ”
หรือ วัดครั้งที่
1 ความต้านทานสูง
วัดครั้งที่
2 ความต้านทานต่ำ อ่านได้ว่า “ ดี ”
สรุป จากการวัดค่าครั้งที่ 1 และครั้งที่
2 ค่าความต้านทานจะต่างกัน แสดงว่า “ ดี
”
ถ้า วัดครั้งที่ 1 ความต้านทานต่ำ
วัดครั้งที่ 2 ความต้านทานต่ำ อ่านได้ว่า “ ช๊อต หรือรัดวงจร ”
หรือ วัดครั้งที่
1 ความต้านทานสูง
วัดครั้งที่
2 ความต้านทานสูง อ่านได้ว่า “ ขาด ”
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น